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电阻和温度的关系公式
金属导体温度越高,电阻越大,温度越低,电阻越小。
超导现象:当温度降低到一定程度时,某些材料电阻消失。
电阻温度换算公式: R2=R1*(T+t2)/(T+t1) R2 = 0.26 x (235 +(-40))/(235 + 20)=0.1988Ω 计算值 80 A t1—–绕组温度 T——电阻温度常数(铜线取235,铝线取225) t2—–换算温度(75 °C或15 °C) R1—-测量电阻值 R2—-换算电阻值。
在温度变化范围不大时,纯金属的电阻率随温度线性地增大,即ρ=ρ0(1+αt),式中ρ、ρ0分别是t℃和0℃的电阻率 ,α称为电阻的温度系数。多数金属的α≈0.4%。
由于α比金属的线膨胀显著得多( 温度升高 1℃ , 金属长度只膨胀约0.001%) ,在考虑金属电阻随温度变化时 , 其长度 l和截面积S的变化可略,故R = R0 (1+αt),式中和分别是金属导体在t℃和0℃的电阻。
扩展资料:
电阻温度系数表示电阻当温度改变1度时,电阻值的相对变化,单位为ppm/℃。有负温度系数、正温度系数及在某一特定温度下电阻只会发生突变的临界温度系数。
当温度每升高1℃时,导体电阻的增加值与原来电阻的比值,叫做电阻温度系数,它的单位是1代,其计算公式为 α=(R2-R1)/R1(t2–t1) 式中R1–温度为t1时的电阻值,Ω; R2–温度为t2时的电阻值,Ω。
电阻温度系数并不恒定而是一个随着温度而变化的值。随着温度的增加,电阻温度系数变小。因此,我们所说的电阻温度系数都是针对特定的温度的。
对于一个具有纯粹的晶体结构的理想金属来说,它的电阻率来自于电子在晶格结构中的散射,与温度具有很强的相关性。
实际的金属由于工艺的影响,造成它的晶格结构不再完整,例如界面、晶胞边界、缺陷、杂质的存在,电子在它们上面的散射形成的电阻率是一个与温度无关的量。因此,实际的金属电阻率是由相互独立的两部分组成。
参考资料:百度百科——电阻温度系数
铜电阻率随温度的变化是怎样的
绝大多数纯金属的电阻率温度系数都约为0.004/摄氏度。
在100-200摄氏度温度区间,电阻率和温度间应该是很好的线性关系:
ρ=0.01724+(t-20)×0.004(ω平方毫米/米)
电线温度变高 那电阻变大还是变小 要是电线温度降低的话电阻又如何
温度高,电阻变大。温度降低,电阻变小。温度每变化一度,铜线电阻变化千分之2多一点。
电阻随温度变高而变大,反之相反。电线温度变高 那电阻变大, 要是电线温度降低的话电阻变小。
温度大小与电流的大小成正比,即温度越大,说明电流越大,反之则反。那么,电阻变小,因为电阻大小与电流大小成反比。所以,当电阻变小时,说明电流会增大(变大)。根据前面所述温度电流关系,电流变大,温度就变大(正比关系)。
扩展资料:
电阻温度系数
在半导体中,金属互连层(铝或铜)的阻值在常温附近的范围内与它的温度具有线性关系,这也是半导体测试中金属互连线经常被用来作为温度传感器的原因。半导体中用电阻温度系数来表征金属的阻值和它的温度之间的关系。电阻温度系数表示单位温度改变时,电阻值(电阻率)的相对变化。
电阻温度系数并不恒定而是一个随着温度而变化的值。随着温度的增加,电阻温度系数变小。因此,我们所说的电阻温度系数都是针对特定的温度的。
对于一个具有纯粹的晶体结构的理想金属来说,它的电阻率来自于电子在晶格结构中的散射,与温度具有很强的相关性。实际的金属由于工艺的影响,造成它的晶格结构不再完整,例如界面、晶胞边界、缺陷、杂质的存在,电子在它们上面的散射形成的电阻率是一个与温度无关的量。
电阻温度系数是一个与金属的微观结构密切相关的一个参数,在没有任何缺陷的情况下,它具有理论上的最大值。也就是说,电阻温度系数本身的大小在一定程度上表征了金属工艺的性能。在新技术工艺的研发过程或在线监测中,我们可以利用电阻温度系数对金属的可靠性进行早期监测与快速评估。
参考资料:百度百科—电阻温度系数
铜热电阻与温度的关系
温度越高 铜的电阻越大 原因看高中物理书 我讲不清.当温度从绝对零度上升,半导体的电阻先是减少,到了绝大部份的带电粒子(电子或「洞」) 离开了它们的载体后,电阻会因 … 当温度升得更高,半导体会产生新的载体(和未经掺 杂的半导体一样) ,原有的载体(因渗杂而产生者) 重要性下降,於是电阻会再度下降.电阻定律.导体电阻跟它电阻率成正比,长度成正比,跟它的横截面积成反比
电阻率一般随温度升高而增大,不过也有例外,但铜正常.温度越高 铜的电阻越大。很简单,温度高了,电子的无规则运动强了,增加了定向运动的难度.一般地说,金属地电阻地的大小与温度的大小成正比.
因为质子和电子都做无规则运动.电子无规则运动楼上讲了,质子的振动”撞’了电子. 温度越高,电阻越大。
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